लघु पथ आसवन आण्विक आसवन उपकरण

कई सामग्रियां, जैसे पेट्रोलियम भारी अवशेष, रसायन, फार्मास्यूटिकल्स और प्राकृतिक खाद्य पदार्थ, स्वास्थ्य उत्पाद, फैटी एसिड इत्यादि, अक्सर थर्मोसेंसिटिव, चिपचिपे होते हैं, और/या उच्च क्वथनांक वाले होते हैं। उत्पाद की गुणवत्ता बनाए रखते हुए इन सामग्रियों को उनके अन्य घटकों से अलग करने के लिए, आसवन केवल कम या उबलते तापमान से भी नीचे किया जा सकता है, और नुकसान को खत्म करने के लिए थर्मल अपघटन या पोलीमराइजेशन को थोड़े समय में ही कम किया जा सकता है। उत्पाद।

जब ऑपरेटिंग वैक्यूम डिग्री लगभग 500Pa है, तो इसे स्क्रैपिंग फिल्म बाष्पीकरणकर्ता या गिरने वाली फिल्म बाष्पीकरणकर्ता में किया जा सकता है। हालाँकि, यदि आसवन को मध्यम से उच्च वैक्यूम स्थितियों (जैसे 0.001 और 100Pa के बीच दबाव) के तहत संचालित किया जाना चाहिए, तो एक समस्या है। ऐसे बाष्पीकरणकर्ता का चयन करना आवश्यक है जिसका वाष्प दबाव हीटिंग सतह और उत्पाद की संघनक सतह के बीच दबाव अंतर से अधिक न हो, इसलिए बाहरी कंडेनसर वाले बाष्पीकरणकर्ताओं को मध्यम से उच्च वैक्यूम रेंज में आसवन प्रक्रिया से बाहर रखा जाता है।

इसके विपरीत, एसवाई प्रकार का शॉर्ट-रेंज बाष्पीकरणकर्ता इस एप्लिकेशन के लिए बहुत उपयुक्त है, और कंडेनसर बाष्पीकरणकर्ता के अंदर निर्मित होता है, जो सीधे गर्म आसवन प्रक्रिया के सामने स्थित होता है। इसलिए, कम दूरी के बाष्पीकरणकर्ता एक अपेक्षाकृत नई पृथक्करण तकनीक है जिसे अभी तक औद्योगिक उत्पादन में व्यापक रूप से लागू नहीं किया गया है और यह बड़ी संख्या में पृथक्करण समस्याओं को हल कर सकता है जिन्हें पारंपरिक आसवन तकनीक हल नहीं कर सकती है।

स्क्रैपर के रूप के अनुसार छोटी दूरी के डिस्टिलर्स को तीन प्रकारों में विभाजित किया जा सकता है: रोलिंग फिल्म, स्लाइडिंग स्क्रैपर और हिंज स्क्रैपर। सामग्री की चिपचिपाहट और प्रसंस्करण गुणों के आधार पर विभिन्न स्क्रैपर प्रकारों का चयन किया जाता है। अल्प निवास समय और स्क्रेपर का कार्य तरल फिल्म को हीटिंग सतह पर बहुत कम समय के लिए रहने देता है। कंडेनसर सीधे हीटिंग सतह के विपरीत दिशा में स्थित होने के कारण कम आसवन तापमान, दबाव अंतर को कम करता है, और इसलिए इसमें अत्यधिक उच्च वैक्यूम डिग्री होती है। सामग्रियों को बेहद कम तापमान पर या क्वथनांक तक पहुंचे बिना भी आसुत किया जा सकता है। ठोस खुरचनी ब्लेड वाले चिपचिपे पदार्थों और उत्पादों का काफी किनारे पर गहरा विसर्जन, सामग्री फिल्म पर एक मजबूत कतरनी और मिश्रण प्रभाव का कारण बनता है, जिससे उपचारित तरल की चिपचिपाहट कम हो जाती है। यह 50Pas तक की चिपचिपाहट को संसाधित करने और हीटिंग सतह पर स्केलिंग को रोकने के लिए उपयुक्त है, विशेष रूप से ठोस युक्त तरल पदार्थों के लिए उपयुक्त है।

अत्यंत पतले आसवन तरल स्तर खुरचनी का कार्य फ़ीड तरल को एक अत्यंत पतली तरल फिल्म में परिमार्जन करना है। पृथक्करण अधिक गहन है.

थर्मल रूप से संवेदनशील सामग्री, उच्च पृथक्करण अनुपात और सटीक खुरचनी हीटिंग सतह पर समान रूप से वितरित एक बेहद पतली तरल फिल्म का उपयोग करती है, जिससे पूरी हीटिंग सतह गीली हो जाती है। यह ऑपरेटिंग यूनिट में उच्च क्वथनांक पृथक्करण अनुपात की अनुमति देता है। इसका मतलब यह है कि मामले में 90% से अधिक प्रवेश वाष्पित हो गया है, और निरंतर अवशिष्ट पदार्थों का स्तर प्राप्त किया जा सकता है।

उबलती फिल्म और संघनक सतह के बीच दबाव का अंतर भाप के प्रवाह के लिए प्रेरक शक्ति है, और एक छोटी सी दबाव ड्रॉप भाप के प्रवाह का कारण बन सकती है। 1 एमबार पर चलने के लिए उबलने और संघनित होने वाली सतहों के बीच बहुत कम दूरी की आवश्यकता होती है, और इस सिद्धांत के आधार पर बने डिस्टिलर को छोटी दूरी का डिस्टिलर कहा जाता है। शॉर्ट-रेंज स्टिल (आणविक आसवन) में एक अंतर्निर्मित कंडेनसर होता है जो हीटिंग सतह के विपरीत स्थित होता है और ऑपरेटिंग दबाव को 0.001mbar तक कम कर देता है।

शॉर्ट रेंज डिस्टिलर एक थर्मल पृथक्करण प्रक्रिया है जो 1~0.001mbar के दबाव पर संचालित होती है। इसका कम उबलने वाला तापमान इसे गर्मी के प्रति संवेदनशील और उच्च क्वथनांक वाले पदार्थों के लिए बहुत उपयुक्त बनाता है। इसकी मूल संरचना: हीटिंग जैकेट, रोटर और आंतरिक निर्मित कंडेनसर के साथ बेलनाकार सिलेंडर; रोटर के निश्चित ब्रैकेट पर एक स्क्रेपर और एंटी स्प्लैश डिवाइस को सटीक रूप से स्थापित करें। अंतर्निर्मित कंडेनसर बाष्पीकरणकर्ता के केंद्र में स्थित होता है, और रोटर बेलनाकार सिलेंडर और कंडेनसर के बीच घूमता है।

शॉर्ट-रेंज में अभी भी एक लंबवत गर्म बेलनाकार शरीर, इसके केंद्र में स्थित एक कंडेनसर और स्टिल और कंडेनसर के बीच एक घूमने वाला खुरचनी होता है।

आसवन प्रक्रिया इस प्रकार है: सामग्री को बाष्पीकरणकर्ता के ऊपर से जोड़ा जाता है, और रोटर पर सामग्री तरल वितरक के माध्यम से हीटिंग सतह पर लगातार और समान रूप से वितरित किया जाता है। फिर, खुरचनी सामग्री तरल को एक अत्यंत पतली, अशांत तरल फिल्म में खुरचती है और इसे सर्पिल आकार में नीचे की ओर धकेलती है। इस प्रक्रिया के दौरान, प्रकाश अणु जो हीटिंग सतह से बच जाते हैं, एक छोटे मार्ग के माध्यम से और लगभग बिना टकराव के अंतर्निर्मित कंडेनसर पर तरल में संघनित हो जाते हैं, और बाष्पीकरणकर्ता के नीचे स्थित डिस्चार्ज पाइप के माध्यम से डिस्चार्ज होने से पहले कंडेनसर ट्यूब में प्रवाहित होते हैं। ; अवशिष्ट तरल, जिसे भारी अणुओं के रूप में भी जाना जाता है, हीटिंग ज़ोन के नीचे एक गोलाकार चैनल में एकत्र किया जाता है और फिर एक साइड डिस्चार्ज पाइप के माध्यम से बाहर बह जाता है।